育晶论坛第21期：氨热法生长氮化镓单晶技术的发展及现状

［本站讯］为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，集成攻关大平台与晶体材料国家重点实验室共同设立“育晶论坛”系列活动。每期论坛邀请领域内杰出专家学者，以线上线下相结合的方式开展主题讲座。 一、讲座题目 氨热法生长氮化镓单晶技术的发展及现状 二、主讲人 乔焜 博士 三、主讲人简介 国镓芯科（成都）半导体科技有限公司创始人，曾在日本长期从事化合物半导体材料，特别是GaN材料的合成工艺研究。乔焜博士创办的国镓芯科是全球第二家使用酸性氨热法生长GaN单晶衬底的商业化公司。 四、主讲内容 基于GaN单晶衬底进行同质外延制备的GaN-on-GaN垂直型器件相较于非GaN衬底上生成的横向GaN器件具有更小的体积、更大的输出电流、更高的可靠性和耐压能力，能够满足更为苛刻的应用需求，因此发展满足垂直型GaN器件的单晶衬底生长技术具有非常重要的意义。本报告介绍了目前生长氮化镓单晶技术的氨热法的发展及现状，特别是酸性氨热法的发展历程和产业化的前景。 五、主持人 张雷 研究员 六、讲座时间 2023年10月30日（周一）上午10：00 七、讲座地点 山东大学中心校区半导体研发大楼第一会议室