王亚: 自旋点缺陷的可控制备与应用

报告时间：2023年11月22日（星期三）15:00 报告地点：翡翠科教楼A座第五会议室 报 告 人：王亚 教授 工作单位：中国科学技术大学 举办单位：物理学院 报告简介： 宽禁带半导体材料中的自旋点缺陷在量子信息技术中有着重要应用。比如基于金刚石氮空位色心的纳米磁成像技术已经广泛应用于磁材料结构的原位表征。对高性能自旋点缺陷的可控精确制备是突破当前应用的技术瓶颈，扩展其应用范围的重要手段。在本报告中，将介绍我们近期在制备高性能金刚石氮空位色心自旋点缺陷，实现功能化量子器件，以及其在单电荷与单缺陷成像、极端环境下的磁畴成像等微纳电磁探测技术上的研究进展。   报告人简介： 王亚，中国科学技术大学教授，国家杰出青年基金获得者。2012年于中国科学技术大学获理学博士学位。致力于高性能金刚石量子器件的制备、自旋调控技术发展与量子信息技术应用研究。相关实验成果在Nature, Nat.Photon.，Nat.Nanotech.，Nat. Commun.，Science advances、Physical Review Letters等SCI期刊上发表论文60余篇。